3年内中国能不能搞出EUV光刻机?
华卓精科双工件台 , 国旺光学镜片 , 长春光机所euv光源都搞定了 , 应该就差整合了 , 况且euv和duv不是继承关系 , 就像航母的蒸汽弹射和电磁弹射 , 中国都是同时研发的 , 西方每周双休 , 每天6小时 , 花了10年搞定euv , 我们是996 , 三班倒 , 肯定比西方快的多 , 而且第一个做出来是最难的 , 要走很多弯路 , 后来者再模仿就容易的多 。
中国需要几年能研制出媲美荷兰阿斯麦的EUV极紫外光刻机?
难说啊!要知道ASML公司 , 在1991年就研制出了制程工艺包含90纳米的 , 步进投影式DUV光刻机 。而在2017年研制出了 , 制程工艺在7纳米的 , 第三代极紫外EUV光刻机 。也就是说 , ASML公司用了26年 , 才从步进投影式DUV光刻机 , 突破到极紫外EUV光刻机 。而我国在2007年就研制出了制程工艺可达90纳米的步进投影式DUV光刻机 , 截止到目前为止 , 还没有见到国产浸没式DUV光刻机出现 , 那就更不要说 , 研发出极紫外EUV光刻机了 。
即便按照ASML公司的发展历程 , 从理论上来看 , 那也需要到2033年才可以研制出极紫外EUV光刻机 。当然了 , 以上只是按照ASML公司的发展历程简单的推算 , 真实情况是肯定有差别的 。至于究竟到哪年 , 才可以研制出自己的极紫外EUV光刻机 , 现在还很难说啊!只不过可以肯定的是 , 研制出极紫外EUV光刻机的时间要么早于2033年 , 要么晚于2033年 。
究竟到哪年 , 还是让我们拭目以待吧!或许随着量子芯片 , 碳基芯片 , 光子芯片的发展 , 我国可以弯道超车 , 避开传统光刻机的发展模式 , 直接走到新兴芯片的生产制造上 。言归正传 , 在光刻机制造上 , 我国面临的问题与ASML是截然相反的 。要知道ASML是集合了美国 , 德国 , 日本 , 英国 , 欧洲等各发达国家的顶尖科技 , 才制造出的光刻机 。
而我国只有靠自己 , 光刻机的任何一个部件 , 都要立足于国内来完成研发 。而且 , 国外还对我国进行严密的封锁 , 也签署了专门禁止对我国出口高科技技术的《瓦森纳协定》 。如此一来 , 最直接的结果就是:我国的高科技VS全球的高科技 。况且 , 这还是在我国与光刻机有关的高科技 , 不如国外发达国家的前提下进行的 。由此可见 , 极紫外EUV光刻机的研发 , 难度是地狱级别的 。
可想而知 , 我国独立研制出极紫外EUV光刻机的难度系数有多高 。难度系数高归高 , 与做不做的到是两回事 。俗话说 , 世上无难事 , 只怕有心人 。我国向来拥有迎难而上的决心和毅力 , 相信研制出极紫外EUV光刻机只是时间问题而已 。毕竟在20年前 , 谁曾想到20年后的今天 , 我国的科技会发达到这个程度 。先后出现了:蛟龙号深潜器 , 奋斗者号载人深潜器 , 复兴号高速列车 , 天宫空间站 , 北斗导航系统 , 量子通讯卫星 , 量子芯片 , 特高压输电 , 歼20隐身战斗机 , 运20大型运输机 , 直20直升机 , 055型万吨驱逐舰 , 山东号航空母舰 。
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