思量可将该参数设为5/7，这时候内存的速度较快，但有可能呈现因行单元开启时间不足而影响数据传输
的情况，在SDRAM内存的工作频率高于100MHz时尤其是这样，纵然是品牌内存大部分也承受不了如此苛刻
的设置 。
SDRAM RAS-TO-CAS Delay(内存行地址传输到列地址的延迟时间)
可选项：2，3 。
该参数可以节制SDRAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)旌旗灯号与列地址选通脉冲旌旗灯号之间
的延迟 。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲旌旗灯号之间插入延迟时钟周期 。出于最佳
性能思量可将该参数设为2，如果体系无法稳定运行则可将该参数设为3 。
SDRAM RAS Precharge Time(内存行地址选通脉冲预充电时间)
可选项：2，3 。
该参数可以节制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数 。将预充电
时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成
刷新操作而不克不及保持数据 。
Memory Hole At 15M-16M(位于15M～16M的内存保留区)
可选项： Disabled，Enabled 。
一些特殊的ISA扩展卡的正常工作需要使用位于15M～16M的内存区域，该参数设为Enabled就将该内
存区域保留给此类ISA扩展卡使用 。由于PC’99规范已不再支持ISA扩展槽，所以新型的主板一般都没有
ISA插槽，因而应将该参数设为Disabled 。
System Memory Frequency(体系内存频率)
可选项：AUTO、100MHz、133MHz 。
此项设置使成为事实内存异步运行管理功效 。AUTO：根据内存的特性自动设定内存的工作频率；100MHz：
将内存强力压制设定在100MHz频率下工作；133MHz：将内存强力压制设定在133MHz频率下工作 。
Memory Parity/ECC Check(内存奇偶/ECC校验)
可选项：Disabled，Enabled 。
如果体系使用了ECC内存，可以将该参数设为Enabled，否则一定要将该参数设成Disabled 。ECC表
示差错校验和改正(Error Checking and Correction)一般是高档服务器内存条所具备的功效，这种
内存条有使成为事实ECC功效的内存颗粒，使体系能够检测并改正内存中的一位数据差错或者是检测出两位数
据差错 。ECC功效可以提高数据的完整性和体系的稳定性，这对服务器尤其重要，但ECC会造成一定的性
能损失 。
VIA芯片组主板
VIA芯片组主板一般比Intel芯片组主板内存设置选项要富厚一些，在这类主板BIOS的Advanced
Chipset Features(高级芯片组特性)设置页面中一般包罗以下内存设置项：
Bank 0/1、2/三、4/5 DRAM Timing(内存速度设定)
可选项：Turbo(高速)，Fast(迅速)，Medium(中等)，Normal(正常)，SDRAM 8/10 ns 。
该选项用于设定内存的速度，对于SDRAM内存条，设定为SDRAM 8/10 ns便可 。
SDRAM Clock(内存时钟频率)
可选项：HOST CLK，HCLK 33M(或HCLK-33M) 。
该参数设置内存的异步运行模式 。HOST CLK表示内存运行频率等于体系的外频，HCLK 33M表示内存
运行频率等于体系外频再加上33MHz，HCLK-33M表示内存运行频率等于体系外频减去33MHz 。如Pentium
Ⅲ 800EB时，BIOS自动使该参数的可选项呈现HOST CLK和HCLK-33M，如果使用PC133内存，可以将该参
数设为HOST CLK，如果使用PC100内存，则可以将该参数设为HCLK-33M，这样就可使体系配合性能较低
的PC100内存使用 。内存异步功效使体系对内存的兼容性的提升是比较较着的，也是VIA芯片组一项比较
重要的功效 。
Bank Interleave(内存Bank交错)
可选项：Disabled，2-Bank，4-Bank 。
内存交错使SDRAM内存各个面的刷新时钟信与读写时钟旌旗灯号能够交错呈现，这可以使成为事实CPU在刷新一
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