骁龙835采用三星10nm LPE制程工艺
即便今年之前的各路分析预测都称10nm LPE“只能和16nmFinFET 性能持平”，甚至有传言称“10nm制程将会和20nm一样悲剧”，但高通骁龙835已然展现出10nm制程的巨大潜力——的确，10nmLPE的极限性能提升并不大，但它能够保证长时间稳定高效的性能发挥，相比14nm和16nm的“三分钟真男人”要良心太多 。
至于今年下半年高通将会发布的采用10nm LPPFinFET(第二代10nm)制程工艺的新旗舰SoC，我们只能说，虽然一切都是未知数，但第二代10nm制程所带来的更高性能和更优功耗绝对值得期待 。
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