浅谈DDR5内存超频内存怎么超频( 三 ) _云知道

CPU电压方面除了上文提到的SA电压，还有2个非常关键，分别是CPU VDDQ和CPU VDD2，也其实之前的CPU内存控制器电压，DDR5内存才有。这2个电压在华硕主板上被写成是IVR以及MCV电压。不过在超频配搭上，不同颗粒的玩法还真不太一样。
其中CHH论坛有大神表示，其中三星颗粒会对CPU VDD2电压非常敏感，一般要控制在1.25-1.35V之间，太高反而会超频失败；CPU VDDQ电压一般区间在1.35~1.4V就可以了。而海力士颗粒则需要更高的CPU VDDQ电压，正常情况都要1.38V，要冲击高频率至少要到1.5V，CPU VDD2电压则维持在1.2V以上，一般不超过1.35V 。
至于SA电压，使用带K处理器默认BIOS一般会给的比较高，一般情况下可不动，不过可以适当降一点电压，对于CPU有一定的降温左右。并且有时候过高的SA电压并不会让内存冲击更高的频率。

关于内存时序：
DDR5还是和DDR4一样，主要看看CL、tRCD、tRP、tRAS 。而小参方面，依然可以延续“一壶茶、一包烟、几套小参玩一天”的时代。不过可能是因为DDR5频率过高，一些小参对于AIDA64跑分的影响不是很大，这个就等更专业的小伙伴来测试。我个人在超频上还是动的还是上述的几个参数。

ODT大法：
通过ODT大法可以降低CPU VDDQ和CPU VDD2，冲击更高的内存频率，不过我个人对于它们的配比还没有完全弄明白，所以个人目前还是自动模式。

防掉压设定
一般防掉压设为自动也没啥问题，有的大神建议使用Mode 4模式。

偷懒的办法——Memory Try It！
有的小伙伴说：那么多设定太麻烦，有没有类似XMP一键开启DDR5内存超频的方法？还真有。这个偷懒的功能就是微星主板BIOS中的Memory Try It！打开这个功能选项可以看到各种预设，从DDR5-4800MHz CL34到DDR5 6400MHz CL48 。不过其中的一些数据参数还比较保守，我的建议是逐个尝试过去，稳定了再冲更高的频率。

超频实测：
比如这个内存是默认的科赋DDR5普条，时序是40-40-40-76 CR2，性能表现马马虎虎，不过延迟达到了88.4ns 。

超频到6200MHz，时序为48-48-48-88 。读取速度突破了93000MB/s，写入和复制都突破了83000MB/s，延迟为77.5ns 。

进一步调整时序为44-46-86，性能表现进一步增加，延迟为74.2ns 。

该时序配搭该频率稳定性还不错，轻松通过RunMemtestPro一轮测试。

我最高将该科赋内存超频到6400MHz，但通过不了测试，15%开始报错，预计优化下时序也能稳定，但性能表现可能还不如6200MHz 。

总结：