二极管的应用领域二极管的应用步骤( 三 ) _云知道

此时空穴载流子也是有的，只不过相对电子载流子占少数而已，日子也就这么一天天过下去了…
P型半导体穷村的村长一看N型半导体富村的发展情况，心里不平衡了，于是找富村村长商量一下，可否把我们村的经济情况带动一下，都是一个乡的，差距太大传出去不好。富村村长稍一思量就答应了，同时跟村里人传达了一下，两村合并如下图所示：

刚刚合并的时候，N型半导体的电子载流子浓度很高，所以很多电子都往P型半导体那边跑，并与其中的空穴复合。
这个合并的过程也可以认为是P型的空穴向N型扩散，因为电子的移动方向总是与空穴的移动方向相反的，总之是多数载流子向少数载流子区前进，如下图所示：

我们把因浓度差而引起载流子由高浓度区域向低浓度区域的转移，称为扩散。
【二极管的应用领域二极管的应用步骤】理论上讲，两个半导体合并之后，P型半导体中的多数载流子空穴与N型的多数载流子电子会全部复合，但合并开始后，每次电子与空穴的复合，都会相应产生正离子与负离子，它们将产生内部电场力阻碍由于浓度差而带来的扩散。这个电场力会把P型半导体中的少数载流子电子往N型半导体中转移，同时把N型导体中的少数载流子空穴往P型半导体中转移。

我们把电场的吸引或排斥作用引起的载流子移动叫做漂移。
很明显，对于两个材料的合并来说，扩散作用力是起正作用的，而漂移作用是起阻止作用的，这两个作用力是同时开始的。
刚开始的时候，扩散作用力比漂移作用力大，因此中间有一大片的电子与空穴都复合在一起，最后只留下不能移动的正离子与负离子，但是随着复合的空穴电子越多，留下的正离子与负离子也越来越多，形成的内电场越来越大，最后与扩散能力达到平衡，如下图所示：

N型富村村长一看阻碍力（漂移作用）有点大，与P型穷村村长合计了一下，就先这样吧，不要再继续了，先看看效果如何。
我们把P型半导体与N型半导体合并后形成的正负电荷区称为PN结（也叫耗尽层），从P型半导体（P区）引出的电极称为A极（anode，阳极），而从N型半导体（N区）引出的电极称为K极（kathode/cathode，阴极），这样就形成了一个二极管了。
下面我们来看看这个二极管的特性
如下图所示，P区接电压正极，N区接电压负极（称为电压正向偏置）

我们从小到大调整外加电压V来对二极管进行测试。
当外加电压V比较小时，由于PN结内电场的存在阻碍外电场的作用，此时二极管呈现出一个大电阻，正向电流几乎为零，好像有一个门坎，我们把这个门坎电压称为死区电压VTH，硅管的VTH约为0.5V，锗管的VTH约为0.1V 。
虽然二极管还没有导通，但是由于外电场的作用，P区的多数载流子空穴与N区的多数载流子电子都向PN结移动，并与PN结中的正负离子相互中和，使PN结的电荷区变窄。
当外加电压V大于死区电压VTH时，二极管因内电场削弱而开始导通，并形成了正向电流IF（Forward current），同时在二极管两端会有一定的正向压降VF（Forward voltage），硅管的VF约为0.7V，锗管的VF约为0.3V