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前段时间工信部发布的国产DUV光刻机引起了市场的一片兴奋
从公布的内容来看 ， 氟化氩（65纳米分辨率）套刻小于等于8纳米 ， 这意味着经过多种曝光之后 ， 从理论上来说 ， 国产DUV光刻机可以用于生产8纳米以下的芯片 。
但因为良率的问题 ， 想要生产7纳米纳米芯片其成本肯定很高 ， 并不具备量产的意义 。 按照套刻跟量产1:3的比例来推算 ， 这款国产DUV光刻机具备28纳米量产的能力 ， 这是一个很大的进步 。
但相比目前国际最先进的芯片工艺而言 ， 这个工艺还是有点低了 ， 毕竟目前包括台积电在内已经能够生产2纳米的芯片 ， 而他们生产这些高端芯片所使用的光刻机就是荷兰ASML提供的EUV光刻机 。
这说明目前国产光刻机跟国际先进光刻机差距还是比较大的 ， 代差至少达到5年以上 。
不过好消息是 ， 目前我国在EUV光刻机关键技术上同样也取得突破了 。
前几天国内光刻机制造商上海微电子就公布了一系列专利 ， 这里面有一项专利非常让人振奋 。
9月10日 ， 中国国家知识产权局披露了一项名为“极紫外线辐射发生装置及光刻设备”的发明专利 ， 即申请人为上海微电子 。
这说明目前上海微电子已掌控了极紫外线发生装置的相关核心技术 。
极紫外线是制造EUV光刻机的光源 ， 是制造EUV光刻机最核心的技术之一 ， 目前全球真正能够生产这种极紫外线发生装置的国家寥寥无几 ， 至少具备量产实力的只有美国的cymer一家企业 ， 后来这家企业也被荷兰都ASML给收购了 。
对于这种关键技术 ， 美国是不允许出口到其他国家的 ， 即便我们有钱 ， 他们也不愿意出口到我国 ， 所以我们只能自力更生自主研发 。
大家原以为我国要攻克极紫外线发生装置这个核心技术需要几年的时间 ， 没想到上海微电子竟然已经掌握了相关的核心技术 。
从他们公布的专利来看 ， 他们发明的极紫外线辐射发生器（光源）包括腔体 ， 靶材产生器 ， 雷射产生器 ， 收集镜 ， 电极板 ， 气控部件等关键部件 。
这说明我国在EUV光刻机研发方面已经取得了关键性的突破 ， 这将为EUV光刻机的整机研发提供重要的技术支撑 。
当然 ， 除了这些核心技术之外 ， 我国在其他光刻机领域同样也实现了很多技术突破 。
前几天工信部公布的内容除了DUV光刻机之外 ， 实际上包括湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、化学物理气象沉积装备等关键领域都有了重大技术突破 。
这说明我国在高端光刻机的产业链实力越来越强了 ， 很多核心技术都在不断被突破 。
目前这些核心环节突破了 ， 最核心的EUV光源技术也突破了 ， 而之前清华大学已经攻克了光刻机双工作台关键技术 。
这意味着EUV光刻机三大核心技术当中 ， 目前就只剩下物镜 。
至于目前我国投影物镜技术达到了什么程度？我们没有看到相关的细节 ， 因为这个技术太关键了 ， 一般都不会对外透露 ， 但可以肯定的是 ， 目前我国在光影物镜方面其实已经有很多技术突破 ， 比如前两年长春光机所就实现了一些技术突破 ， 在这我们不具体详谈了 。
整体来说 ， 目前我国EUV光刻机各个核心环节的技术都在不断的进步当中 ， 虽然短期内无法实现量产 ， 但随着技术的不断积累和突破 ， 我相信5~10年之内 ， 我国EUV光刻机迟早会突破的 。
【EUV光刻机光源实现重大突破，我国掌握 7nm关键技术】一旦突破了EUV光刻机技术 ， 这意味着我国就能够独立自主生产7纳米以下的芯片 ， 甚至5纳米3纳米的芯片 ， 在这我们拭目以待 。
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