近30亿元一台！英特尔成功组装第二台High NA EUV光刻机
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在半导体制造领域 ， 技术的每一次革新都意味着生产效率与产品性能的显著提升 。 近日 ， 英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips在公开场合继续了关于High NA（高数值孔径）极紫外光刻（EUV）技术的深入讨论 ， 这一举动无疑为整个行业带来了新的期待 。
ASML推进High NA EUV技术在最近的SPIE大会上 ， ASML的新任首席执行官Christophe Fouquet发表了演讲 ， 重点介绍了公司的High NA EUV曝光机技术 。
Fouquet指出 ， 与现有的标准EUV曝光机相比 ， High NA EUV曝光机不太可能出现延迟交付的情况 。 ASML已经开发了一种新的组装扫描器子组件的方法 ， 即直接在客户工厂进行安装 ， 省去了拆卸和重新组装的步骤 ， 这将显著节省ASML和客户的时间与成本 ， 有助于加快High NA EUV曝光机的发货和交货流程 。
随后 ， 英特尔院士兼曝光技术总监Mark Phillips上台发言 ， 确认英特尔在波特兰工厂已经安装了两套High NA EUV曝光系统 。 Phillips还公布了一些数据 ， 显示High NA EUV曝光机相较于标准EUV曝光机带来的改进可能比预期的要多 。
Phillips强调 ， 得益于之前的经验 ， 第二套High NA EUV曝光系统的安装速度比第一套更快 。 所有必要的基础设施已经准备就绪并开始运行 ， 用于High NA EUV曝光的掩模检测工作也已按计划启动 ， 使得英特尔能够顺利地将该系统投入生产 。
此外 ， Phillips还讨论了化学放大抗蚀剂（CAR）和金属氧化物抗蚀剂的问题 。 他表示 ， 尽管目前CAR仍能满足需求 ， 但未来可能需要金属氧化物抗蚀剂 。 英特尔的目标是在2026至2027年量产Intel 14A制程技术 ， 并将进一步提升制程技术 。
英特尔已经完成第二套High NA EUV光刻机组装ASML 新任首席执行官 Christophe Fouquet 近日在SPIE大会上介绍了ASML的High NA EUV光刻机 ， 并表示英特尔的第二套 High NA EUV光刻机已经组装完成 。
Christophe Fouquet表示 ， High NA EUV光刻机将不太可能像当前标准EUV光刻机那样出现延迟交货的情况 ， 其原因是ASML找到了组装扫描仪子组件的新方法 ， 就是直接在客户工厂进行安装 ， 无需经历拆卸及再组装的过程 ， 这将大大节省ASML与客户之间的时间和成本 ， 有助于加快High NA EUV光刻机的发货和交货 。
英特尔院士兼曝光技术总监Mark Phillips在Christophe Fouquet之后的演讲中也表示 ， 英特尔已经在波特兰工厂完成了两套的High NA EUV光刻系统的安装 。
此外 ， Mark Phillips 还公布了一些的数据 ， 说明了 High NA EUV光刻机相对于标准EUV光刻机所带来的改进 ， 通过High NA EUV光刻机应用出来的改善结果可能要比之前想象中还要多 。
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【近30亿元一台！英特尔成功组装第二台High NA EUV光刻机】
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