如果你对这些值都没有概念，那么将其反映到更具体的IP或产品大致可了解其价值 。高通在2019 VLSI Symposium超大规模集成电路会议上表示，N7工艺让高通的骁龙855获得了30-35%的芯片面积红利（上代骁龙845实际上采用的是三星的10nm工艺），包括逻辑电路、SRAM区域与综合的芯片面积 。高通对比骁龙855的典型速度路径下，台积电7nm与三星10nm工艺的速度与功耗曲线 。相同功耗下，速度提升10%；相同速度下功耗降低35% 。
骁龙855总共是67亿晶体管；其CPU部分分成三组，一个A76大核心（Kryo 485 Gold）主频2.84GHz，三个主频2.42GHz的A76核心为一组，四个主频1.80GHz的A55核心（Kryo 485 Silver） 。高通表示2.42GHz的这组核心，在相同功耗下，性能相比骁龙845提升了20%；小核心则提升了超过30%——当然这也并非全部工艺带来的红利，设计IP架构变化也相关 。两者分别的贡献在高通看来是一半一半的 。
比较有趣的是，骁龙855在CPU制造方案上用到了台积电的上述两种N7方案：其中的一个高主频的大核心（prime core）采用的是HP高性能cell方案，而其他两组核心用的是HD低功耗cell方案 。看起来是种相对奢侈的组合方法，在一颗SoC上应用了一种制程的两种方案 。所以即便是同一种N7工艺，同代都仍有差别 。
改良与进化：N7P与N7+
N7可以认为是台积电7nm的初代方案 。去年台积电推出N7P（N7 Performance-enhanced version），或者叫第二代7nm 。这是N7初代方案的改良版，仍然采用DUV，相同的设计准则，而且和N7是完全IP兼容的 。
N7P做了FEOL（前段工序）、MOL（中段工序）优化，在相同功耗条件下提升7%性能；相同速度下降低10%功耗[3] 。iPhone 11系列的苹果A13 SoC即采用N7P方案，今年即将量产的骁龙865也用此工艺——似乎有许多人对于骁龙865未采用EUV表示不解 。
而N7+与N7P又是不同的，它在某些关键层真正开始采用EUV极紫外光刻，其大规模量产是从2019年第二季度开始的 。N7+按照台积电所说有着1.2倍的密度提升（这里的密度应该就是指晶体管密度），相同功耗下提升10%性能，相同性能下降低15%功耗——所以在整体表现上会优于N7P 。台积电当时就宣布N7+工艺制造良率和N7基本差不多 。
图片来源：华为
海思Kirin 990 5G版也因此不仅是改换了modem模块，而且在工艺及某些物理层上也是一次翻新 。华为在发布Kirin 990系列时就宣称Kirin 990 5G是业内“首个使用EUV工艺打造的芯片” 。所以Kirin 990 5G也的确一定程度推高了CPU和GPU的频率，NPU的“大核心”还多加了一个 。无奈并没有分析机构给出Kirin 990 4G版本的die shot和芯片面积数据，所以也无法对比N7+在面积效率方面相比N7做出的提升 。
值得一提的是，N7+的EUV光刻层是4层：就去年年中的消息来看，台积电还有更进一步的N6工艺节点，会采用更多的EUV层（似为5层），虽然N6也并不是一个长期节点 。而且N6在设计准则和IP方面，与N7兼容 。也就是说芯片设计可以复用N7相同的设计生态，比如相同的工具，以直接降低开发成本 。N7的设计可以在N6节点上再次流片，在EUV掩膜、保真度提升方面也有提升；PODE（poly over diffusion edge）与CNOD（continuous diffusion）standard cell能够达成18%的密度提升 。
N6和N7+似乎是两条不同的路径，因为N7+并不能达成N6这样的兼容性，且N7+实际有着密度方面略为领先的优势 。这可能也是今年骁龙865并未选择N7+的原因，N7P与未来的架构设计过渡可能将更加平缓 。去年5月的财报电话会议上，台积电表示大部分N7客户（而不是N7+客户）最终都将转往N6（6nm）工艺[4] 。台积电预计是今年较早时间完成N6的风险生产，到今年年末以前达成良率和产量的提升——这个节点会与N5同期进行 。
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