外国机构评价中国芯片，制造设备落后西方6年，但技术实现了反超vivo

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前沿导读加拿大半导体拆解机构TechInsights ，针对于中国的国产光刻机和国内的芯片产业进行了行业预测。他们认为，中国的国产光刻工具比“西方国家”的工具落后约 6 年的时间，但以长江存储、华为、中芯国际为首的中国公司在技术上面取得的进步，展示出了中国企业在技术上面的领先地位。
国产光刻设备中国的SMEE（上海微电子）开发了新的深紫外（DUV）光刻工具在之前通过国家平台进行了公布，其中最先进的设备具有 65 nm 分辨率。虽然这仍然落后于ASML的38 nm分辨率 DUV 工具，但它标志着中国国产工具生态系统和SMEE的技术设备向前迈出了重要一步。在此之前，该公司最新一代的工具具有90nm的分辨率。
SMEE还为EUV光刻工具申请了专利，尽管该专利是去年提交的，但直到最近才为公众所知。
在几年前，美国针对于EUV光刻机设备对荷兰施压，以此来防止中国大陆地区拿到最先进的制造设备。 EUV设备断供，直接就限制了中国制造10nm及以下半导体芯片的能力。
虽然中国大陆的相关企业拿不到最新的EUV光刻机，但是SMIC依然可以通过之前从ASML采购的浸润式DUV光刻机，通过自对准四重图形化（SAQP）技术实现7nm芯片的制造。

在某个半导体器件当中，我们查看37nm间距翅片横截面的 TEM 图像，该器件采用了SMIC公司的N+1工艺技术制造，等效于7nm制程工艺。 ArF光源的浸润式设备，通过SAQP光刻技术，在制造的过程中起到了决定性作用。

由于美国的政策压制，中国正在积极努力的建设国内半导体的制造能力。美国的出口限制对这一计划产生了直接影响，因此国内的相关企业正在积极寻找 ASML EUV 光刻技术的替代品。
其中的一条路是开发中国制造的 EUV 解决方案，上海微电子设备（SMEE）是一家定位为 ASML 替代品的公司，研发方向包括纳米压印光刻（NIL）和直接自组装（DSA）光刻。
中国科学院是国内研发EUV技术的领先创新者，中科院将大部分投资投入到 EUV 上，但也投资于 NIL 和 DSA 技术开发。 SMEE 紧随其后，在 NIL 技术上投入了大量资金。中芯国际在榜单中排名第六，在这三个技术领域都有所涉及。

在近几年当中，中国公司在先进光刻技术领域提交的专利数量正在逐步攀升当中。虽然专利的总数相当少，但是 EUV、DSA 和 NIL 这三个技术领域的专利活动呈持续上升趋势。

相比之下，其他国家在先进光刻领域提交的专利数量还是相当多的。
根据报告显示，国际 EUV 专利申请的数量呈持续上升趋势。然而， DSA 专利活动在 2013 年左右之后有所下降， NIL 技术在 2018 年左右之后有所下降。这也许不足为奇，因为 ASML EUV 技术现在已经形成了垄断性的商业化，从而减少了寻找替代品的动力。

中国企业一直在寻找自己的国内解决方案，以避免对其他西方公司的依赖。随着中国被阻止使用 ASML EUV 技术，相关企业将继续寻求替代选择，其中可能包括开发自己的 EUV 能力，或者可能依赖于 NIL 和 DSA 技术。
国内技术的创新TechInsights机构，曾经在产品的拆解对比中发现，在长江存储的 SSD 里面，有其最新的Xtacking4.0 技术。虽然长江存储在制造产品的过程中，仍然依赖西方的某些工具来处理制造中的关键蚀刻和气相沉积部分，但有迹象表明，在其余的制造步骤中，中国大陆的设备正在逐步取代西方设备。

并且TechInsights 也从整体的角度对中国的芯片产业进行了评估，虽然中国的国产光刻工具比“西方”工具落后约 6 年，但长江存储等公司的进步，展示了大陆企业在技术上面的领先地位。
长江存储是国内闪存领域的一线技术企业，基本上代表了中国大陆在闪存存储器领域的最高水平。长江存储旗下致态品牌的产品：TiPlus7100 SSD 黑神话悟空版，就是长江存储采用了最新的 Xtacking4.0 架构工艺，制造出来的高性能产品。
该技术的密度非常先进，在 40.44 毫米的微小尺寸上为 512 Gb2密封芯片尺寸，即 12.66 Gb/mm2芯片位密度。虽然它不是可用的最密集内存，但它与顶级设备竞争。这是通过混合晶圆键合结构和新设计的 20 个垂直通道孔实现的。

垂直通道技术，是 Xtacking 此次迭代的关键改进，并展示了其混合键合工艺的成熟度，这是长江存储技术领先的领域。
在今年早些时候，日本的铠侠还在具有 20 个垂直通道的存储设备上引入了用于内存的混合键合，但是铠侠在其工艺中尚未达到类似的成熟水平。虽然我们可以预测，三星、SK 海力士和美光在未来将很快采用混合键合技术，但这些公司要赶上长江存储在键合领域的领先地位，还有一段路要走。
在华为的pura 70 Ultra手机当中，长江存储为其独家供应了闪存芯片。通过拆解我们可以看出，模具上的标记是双回旋符 “^^” ，这种类型的芯片标志，上面没有芯片的标签，而且是长江存储第一次在华为手机上面出现这种情况。

此前就有传言称，这是一种名为“武当山”的技术项目，长江存储要逐步过渡到利用国内的供应链制造产品的环境中。
【外国机构评价中国芯片，制造设备落后西方6年，但技术实现了反超】
所以，这些模具的痕迹也可以解释为双山峰，表明该设备是使用国产供应链的一部分。因此，该设备为中国自身在面对美国制裁时创建国内半导体生态系统的举措提供了一个标准，而美国制裁一直特别关注工具。

外国机构评价中国芯片，制造设备落后西方6年，但技术实现了反超

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